真鍮製エンドキャップ
高導電性真鍮素材: H62/H65/H68 真鍮合金を使用して設計され、高電流保護システム向けに最適化された導電率と構造強度を実現します。-
精密スタンピングと深絞り: スタンピング公差が ±0.01 mm 以内の順送りダイによって制御され、すべての内側エンド キャップとシェル全体で均一な肉厚を確保します。
低接触抵抗メッキ: 多層 Ni、Sn、または Ag の表面仕上げにより酸化を防ぎ、長いデューティ サイクルにわたって熱の蓄積と接触抵抗を低減します。
統合されたアセンブリのはんだ付け性: 最適化された材料組成ときれいな表面処理により、ボディと導電性端子をヒューズする連続的かつボイドのないはんだ付けが可能になります。{0}}
OEM/ODM の迅速なカスタマイズ: 社内ツール開発により、高電圧保護プロジェクト向けに STEP/DWG ファイルから 7 ～ 10 日以内に迅速なプロトタイピングが可能になります。{0}{3}
- 迅速な配達
- 品質保証
- 24時間年中無休のカスタマーサービス
製品説明
高電圧 EV 保護システムや産業用回路保護モジュールでは、熱安定性と一貫した電流伝導は、正確なエンドキャップ インターフェースに大きく依存します。-高品質の真鍮エンドキャップは、極端な温度サイクル下でも全体の内部抵抗を増加させることなく構造の完全性を維持する必要があります。-高精度の金属スタンピングを専門とするソース メーカーとして、当社はカスタムの真鍮製エンド キャップ コンポーネント、真鍮製チューブ キャップ オプション、信頼性の高い電気接続と機械的ハウジングのために特別に設計された内側エンド キャップ構造を提供しています。
技術仕様と材料規格
| 基材グレード | H62 / H65 / H68 真鍮 |
| 電気伝導率 | 25% 以上の IACS (標準真鍮) / カスタマイズされた銅-真鍮合金 |
| メッキオプション | フラッシュ/ブライト錫 (Sn: 3 ～ 8 μm)、ニッケル (Ni: 2 ～ 5 μm)、銀 (Ag: 2 ～ 5 μm) |
| 接触抵抗 | 0.8mΩ以下 |
| 抗張力 | 350～480MPa |
アプリケーションシナリオと業界統合
新エネルギー車（EV/HEV）
BMS、OBC、MCU の高電圧ヒューズに適用され、真鍮端子キャップの急速な電流サージや電気的変動に対処します。{0}
スマートグリッドと配電
変電所、配電ボックス、グリッド機器に導入され、真鍮パイプエンドキャップの迅速な障害対応とアーク抑制を実現します。
航空宇宙および防衛航空電子工学
衛星電源および航空機のアビオニクス ヒューズ用に構築され、極端な温度と放射線に耐える真鍮チューブ エンド キャップ。
-ハイエンド電子機器と医療
真鍮エンドキャップの継続的な高負荷運用下でエンタープライズ サーバー、試験機器、医療機器を保護します。{0}
よくある質問
Q: 銀/錫電気めっきプロセスはどのようにして低い接触抵抗を確保し、真鍮ヒューズ キャップの酸化を防止しますか?
A: 当社では、プレートの下にニッケル バリア（2～3 μm）を施し、その後、精密な銀めっきまたは錫めっきを施します。{0}この二層プロセスにより、真鍮基板からの亜鉛の移行が防止され、接触抵抗が 0.8 mΩ 以下に維持され、高温条件下での酸化が防止されます。-。
Q：カスタムで製作してもらえますか？真鍮製エンドキャップ深絞り機能と厳しい肉厚公差を備えていますか?
A: はい。マルチ-ステーション深絞りプレスとWAIDA PG-加工工具を使用して、深絞り真鍮インナーキャップ部品の肉厚を±0.01mm以内に維持し、-高速自動組立中の応力集中を排除します。-
Q: IATF 16949 に基づくカスタム OEM 真鍮キャップの注文に対して、どのような品質管理文書を提供しますか?
A: すべての製造ロットには、材料製造証明書、XRF めっき厚さレポート、CMM 寸法検査データ、塩水噴霧試験結果、および完全なサプライ チェーンのトレーサビリティのための要求に応じて完全な PPAP レベル 3 文書が含まれます。
お問い合わせ
2D/3D CAD 図面 (STEP/DWG) または電気仕様を当社に送信していただくと、迅速な DFM レビューと工場での直接見積もりが 24 時間以内に行われます。-
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